申请/专利权人:三星电机株式会社
申请日:2023-09-19
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN117856750A
主分类号:H03F3/20
分类号:H03F3/20;H03F1/32
优先权:["20221006 KR 10-2022-0128073","20230424 KR 10-2023-0053468"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.04.09#公开
摘要:本公开提供一种功率放大器,所述功率放大器包括:功率晶体管,被配置为放大输入RF信号;以及偏置电路,被配置为向所述功率晶体管提供偏置电流,在第一功率模式下,检测与所述输入RF信号中的第一电平或更高电平对应的第一信号,并且产生与所述第一信号对应的所述偏置电流,或者,检测与所述输入RF信号中的第二电平或更低电平对应的第二信号,并且产生与所述第二信号对应的所述偏置电流,并且在第二功率模式下,检测与所述输入RF信号中的第三电平或更高电平对应的第三信号,并且产生与所述第三信号相对应的所述偏置电流,或者,检测与所述输入RF信号中的第四电平或更低电平相对应的第四信号,并且产生与所述第四信号对应的所述偏置电流。
主权项:1.一种功率放大器,包括:功率晶体管,被配置为放大输入射频信号;以及偏置电路,被配置为向所述功率晶体管提供偏置电流,其中,所述偏置电路还被配置为:在第一功率模式下,检测与所述输入射频信号中的第一电平或更高电平相对应的第一信号,并且将所述偏置电流产生为与所述第一信号相对应的电流,或者,检测与所述输入射频信号中的第二电平或更低电平相对应的第二信号,并且将所述偏置电流产生为与所述第二信号相对应的电流,并且在第二功率模式下,检测与所述输入射频信号中的第三电平或更高电平相对应的第三信号,并且将所述偏置电流产生为与所述第三信号相对应的电流,或者,检测与所述输入射频信号中的第四电平或更低电平相对应的第四信号,并且将所述偏置电流产生为与所述第四信号相对应的电流。
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