申请/专利权人：格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

申请日：2023-09-05

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855271A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/15

优先权：["20221005 US 17/960245"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本公开涉及具有混合阱的铁电场效应晶体管。包括铁电场效应晶体管的结构和形成包括铁电场效应晶体管的结构的方法。该结构包括半导体衬底、半导体层、布置在半导体层和半导体衬底之间的电介质层，以及位于半导体衬底中的第一阱和第二阱。第一阱具有第一导电类型，以及第二阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。铁电场效应晶体管包括位于第一阱和第二阱上方的半导体层上的栅极结构。该栅极结构包括含有铁电材料的铁电层。

主权项：1.一种结构，包括：半导体衬底；半导体层；电介质层，其布置在所述半导体层和所述半导体衬底之间；第一阱，其位于所述半导体衬底中，所述第一阱具有第一导电类型；第二阱，其位于所述半导体衬底中，所述第二阱具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及铁电场效应晶体管，其包括位于所述第一阱和所述第二阱上方的所述半导体层上的栅极结构，所述栅极结构包括含有铁电材料的铁电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司 具有混合阱的铁电场效应晶体管

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