申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894893A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/30;H01L33/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开一种具有梯形能隙量子阱结构的LED外延片，其从下到上依次包括：GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型腐蚀截止层、N型GaAs欧姆接触层、N型Alx1Ga0.5‑x1In0.5P粗化层、N型Al0.5In0.5P限制层、MQW量子阱、P型Al0.5In0.5P限制层、渐变式Alx2Gay2Inz2P过渡层以及P型GaP欧姆接触层。其中：所述MQW量子阱包括多个交错分布的势阱层和势垒层，所述势阱层的能量带隙从一端向另一端逐渐减小，从而形成梯形能隙。本发明的上述LED不仅实现了宽带频谱，而且提高了量子阱的有效复合效率，进而提升了光功率。

主权项：1.一种具有梯形能隙量子阱结构的LED外延片，其特征在于，该LED从下到上依次包括：GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型腐蚀截止层、N型GaAs欧姆接触层、N型Alx1Ga0.5-x1In0.5P粗化层、N型Al0.5In0.5P限制层、MQW量子阱、P型Al0.5In0.5P限制层、渐变式Alx2Gay2Inz2P过渡层以及P型GaP欧姆接触层；其中：所述MQW量子阱包括多个交错分布的势阱层和势垒层，其成分依次为AlxGa0.5-xIn0.5P、Al0.25Ga0.25In0.5P、Alx+yGa0.5-x-yIn0.5P、Al0.25Ga0.25In0.5P、Alx+2yGa0.5-x-2yIn0.5P、Al0.25Ga0.25In0.5P......Alx+KyGa0.5-x-KyIn0.5P、Al0.25Ga0.25In0.5P，其中，0≤x≤0.2，-0.02≤y≤0.02，且y≠0；每一相邻设置的势阱层和势垒层构成一组，组数K为整数1、2、3、4…；所述势阱层的能量带隙从一端向另一端逐渐减小，从而形成梯形能隙。

全文数据：

权利要求：

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