申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117895334A

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种GeSnSiGe量子阱激光器及其制作方法。GeSnSiGe量子阱激光器，其包括由下至上堆叠的：衬底，锗硅缓冲层，P型掺杂锗硅层，P型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；量子阱，量子阱由锗锡层和锗硅层交替堆叠多次而成，并且多个锗锡层中的锡含量由下至上逐层递增，锗锡层中锡质量百分比为6.5％～10％；N型掺杂锗硅层，N型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；氮化硅层。本发明可以明显减少激光器达到粒子反转所需的载流子数目，加强有源区受激辐射，同时弥补单层Ge光增益不高的缺点，有效提升激光器的输出功率。

主权项：1.一种GeSnSiGe量子阱激光器，其特征在于，包括由下至上堆叠的：衬底，锗硅缓冲层，P型掺杂锗硅层，所述P型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；量子阱，所述量子阱由锗锡层和锗硅层交替堆叠多次而成，并且多个锗锡层中的锡含量由下至上逐层递增，所述锗锡层中锡质量百分比为6.5％～10％；N型掺杂锗硅层，所述N型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；氮化硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法

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