申请/专利权人：三星显示有限公司

申请日：2023-08-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855354A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00

优先权：["20221005 KR 10-2022-0127293"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：公开了发光元件及制造发光元件的方法，发光元件包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层、设置在有源层上的第二半导体层以及围绕第一半导体层、有源层和第二半导体层的至少一部分的绝缘层。第一半导体层、有源层和第二半导体层依次设置在第一方向上。有源层包括第一势垒层、第二势垒层以及设置在第一势垒层和第二势垒层之间的第一阱层，并且第一阱层在第一方向和与第一方向相交的第二方向上具有不均匀的铟组成比，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上具有不均匀的铟浓度。

主权项：1.发光元件，包括：第一半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；以及绝缘层，围绕所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的至少一部分，其中，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层依次设置在第一方向上，所述有源层包括：第一势垒层；第二势垒层；以及第一阱层，设置在所述第一势垒层和所述第二势垒层之间，并且在所述第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上具有不均匀的铟组成比，并且在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上具有不均匀的铟浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星显示有限公司 发光元件及制造发光元件的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD