申请/专利权人：雄安创新研究院

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855292A

主分类号：H01L31/0203

分类号：H01L31/0203;H01P3/00;H01L31/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本公开提供一种基于磷化铟的单片集成光电探测器封装结构，涉及光电子器件领域，其包括：衬底；PD芯片，单片集成于衬底上；共面波导，单片集成于衬底上，共面波导与PD芯片耦合连接；E转换波导，单片集成于衬底上，E转换波导与共面波导相连接；阶跃阻抗低通滤波器，单片集成于衬底上，阶跃阻抗低通滤波器与E转换波导相连接；直流偏置电源，设于衬底上，直流偏置电源与阶跃阻抗低通滤波器相连接；矩形波导，衬底贯穿矩形波导，矩形波导在衬底上的正投影覆盖E转换波导和部分共面波导。通过将共面波导和E转换波导单片集成在InP衬底，实现从PD芯片到矩形波导的直接射频耦合，无需复杂的集成和封装技术，体积小，制造成本低，射频损耗小。

主权项：1.一种基于磷化铟的单片集成光电探测器封装结构，其特征在于，包括：衬底；PD芯片，单片集成于所述衬底上，所述PD芯片用于接收光纤输入的光信号，并将所述光信号转化为第一射频信号；共面波导，单片集成于所述衬底上，所述共面波导与所述PD芯片耦合连接，所述共面波导用于使所述射频信号的阻抗与矩形波导的阻抗相匹配，得到第二射频信号；E转换波导，单片集成于所述衬底上，所述E转换波导与所述共面波导相连接，所述E转换波导用于传输第二射频信号，并使所述第二射频信号的准TEM模式转换为矩形波导的TE10模式；阶跃阻抗低通滤波器，单片集成于所述衬底上，所述阶跃阻抗低通滤波器与所述E转换波导相连接，所述阶跃阻抗低通滤波器用于抑制所述第二射频信号中电流的波动，且对经所述E转换波导输出的第二射频信号实现滤波与光电转换；直流偏置电源，设于所述衬底上，所述直流偏置电源与所述阶跃阻抗低通滤波器相连接，所述直流偏置电源用于在所述阶跃阻抗低通滤波器的输出端加入大于零的直流电压偏置，保证所述第二射频信号的波形和幅度不失真；矩形波导，所述衬底贯穿所述矩形波导，所述矩形波导在所述衬底上的正投影覆盖所述E转换波导和部分所述共面波导，所述矩形波导用于接收经所述阶跃阻抗低通滤波器输出的所述第二射频信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 雄安创新研究院 基于磷化铟的单片集成光电探测器封装结构

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