申请/专利权人：中国人民解放军火箭军工程大学

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855321A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0304;H01L31/0336;H01L31/105

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及具有多沟道补偿机制的AlSb‑GeSn‑AlSb结构PiN二极管及其制备方法，方法如下：在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在GeOI衬底内设置深槽隔离区，深槽隔离区的深度大于等于顶层GeSn区的厚度；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用原位掺杂形成P型有源区和N型有源区；在顶层GeSn区形成GeSn合金引线，完成具有多沟道补偿机制的AlSb‑GeSn‑AlSb结构PiN二极管单元的制备。本发明有效的解决了等离子体区域载流子浓度低且分布不均、性能高速可控等问题，从而使得所述的新型PiN二极管阵列具有广阔的应用前景。

主权项：1.具有多沟道补偿机制的AlSb-GeSn-AlSb结构PiN二极管的制备方法，其特征在于：方法如下：a在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；b在GeOI衬底内设置深槽隔离区，深槽隔离区的深度大于等于顶层GeSn区的厚度；c刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；d在P型沟槽和N型沟槽内采用原位掺杂形成P型有源区和N型有源区；e在顶层GeSn区形成GeSn合金引线，完成具有多沟道补偿机制的AlSb-GeSn-AlSb结构PiN二极管单元的制备。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军火箭军工程大学 具有多沟道补偿机制的AlSb-GeSn-AlSb结构PiN二极管及其制备方法

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