申请/专利权人：中国人民武装警察部队工程大学

申请日：2021-02-07

公开（公告）日：2023-12-05

公开（公告）号：CN113013258B

主分类号：H01L29/868

分类号：H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329;H01L23/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.05#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要：本发明涉及一种SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构高注入比PiN二极管阵列的制备方法及其器件，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线并将二极管进行相互串联；本发明通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量以及GeSn合金引线的引入等技术能够制备并提供适用于形成硅基可重构对称偶极子天线的具有SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构的高注入比PiN二极管阵列。

主权项：1.一种SiGe-GeSn-SiGe异质结构高注入比PiN二极管阵列的制备方法，其特征在于，所述SiGe-GeSn-SiGe异质结构的高注入比PiN二极管阵列用于制作硅基可重构对称偶极子天线，所述制备方法包括以下步骤：a选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂Sn形成顶层GeSn区；GeOI衬底中，顶层Ge的厚度为30～120μm；步骤a包括：a1光刻所述GeOI衬底；a2对所述GeOI衬底进行Sn组分掺杂，形成顶层GeSn区，通过动态的控制顶层Ge中Sn组分的含量以实现载流子最大注入比；a3去除光刻胶；b在顶层GeSn区内设置深槽隔离区；c刻蚀顶层GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；d在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；所述P型沟槽和所述N型沟槽中填充有多晶SiGe；e在衬底上形成GeSn合金引线并将二极管进行相互串联，以完成所述硅基可重构对称偶极子天线中的具有SiGe-GeSn-SiGe异质结构的高注入比PiN二极管阵列的制备。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民武装警察部队工程大学 SiGe-GeSn-SiGe异质结构高注入比PiN二极管阵列的制备方法及其器件

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