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【发明公布】一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法_齐齐哈尔大学_202410024053.0 

申请/专利权人:齐齐哈尔大学

申请日:2024-01-08

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117845084A

主分类号:C22C1/047

分类号:C22C1/047;C02F1/469

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.09#公开

摘要:本发明涉及一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法。本发明的目的为解决现有金属间化合物合成过程中易被氧化和活性位点较少的问题,提供一种高吸附性能的铁钴金属间化合物的构筑方法。方法:以硝酸铁、硝酸钴、聚乙烯吡咯烷酮和去离子水为原料,采用煅烧法和液氮淬冷法,得到具有高吸附性能的铁钴金属间化合物,为提高现有金属间化合物电容去离子性能提供了一种构筑方法。

主权项:1.一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法,所述方法是按以下步骤完成的:1将聚乙烯吡咯烷酮加入去离子水中,常温下充分搅拌使其溶解,得到聚乙烯吡咯烷酮水溶液;2将硝酸钴和硝酸铁分别加入步骤1中的聚乙烯吡咯烷酮水溶液中,常温下搅拌得到溶液A,将溶液A放入烘干箱中干燥24小时;3将0.2克步骤2中的干燥物置于管式炉中,在N2保护条件下煅烧,再通过液氮进行淬冷,得到铁钴金属间化合物材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 齐齐哈尔大学 一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法

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