申请/专利权人：国电投新能源科技有限公司

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855345A

主分类号：H01L31/20

分类号：H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0747

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请涉及异质结太阳电池技术领域，具体公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法及异质结太阳电池，包括对硅片衬底的背光面依次沉积第一本征非晶硅层、第一磷掺杂硅层、保护层及第一硼掺杂硅层；对第一硼掺杂硅层烧蚀开设第一沟槽；对硅片依次使用不同酸碱溶液进行清洗；在硅片的背光面依次沉积第二本征非晶硅层及第二硼掺杂硅层；在第一沟槽之间烧蚀开设第二沟槽，并清洗及蚀刻第二沟槽内暴露的保护层；在第四硅片中间体背光面沉积透明导电薄膜层，在第一沟槽与第二沟槽之间进行隔离划线；对划线后的第四硅片中间体的背光面印刷主副栅线，本方法工艺工序简单、图形化的精度高以及不影响本征非晶硅层的钝化效果，提高电池的转换效率。

主权项：1.一种背接触异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：制得洁净硅片衬底，对所述洁净硅片衬底的背光面依次沉积第一本征非晶硅层、第一磷掺杂硅层、保护层以及第一硼掺杂硅层，其中，所述保护层为氧化硅薄膜层、氮化硅薄膜层、氧化铝薄膜层或氮氧化硅薄膜层中的一种，所述保护层的薄膜厚度为10nm-200nm，折射率为1.4-4.5；对所述第一硼掺杂硅层的表面采用激光间隔烧蚀开设第一沟槽得到第一硅片中间体；对第一硅片中间体依次使用浓度为1%-10%的第一氢氧化钾溶液、氢氟酸溶液、浓度为0.5%-5%的第二氢氧化钾溶液以及氢氟酸溶液进行双面清洗处理得到第二硅片中间体；在第二硅片中间体的背光面依次沉积第二本征非晶硅层以及第二硼掺杂硅层得到第三硅片中间体；对第三硅片中间体背光面的每两个所述第一沟槽之间采用激光烧蚀开设第二沟槽，并使用氢氟酸溶液进行清洗及蚀刻所述第二沟槽内暴露的保护层得到第四硅片中间体；在第四硅片中间体背光面沉积透明导电薄膜层，对所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的所述透明导电薄膜层采用激光进行隔离划线；对划线处理后的所述第四硅片中间体的背光面进行印刷主副栅线，其中，主副栅线沉积于所述第一沟槽以及所述第二沟槽底表面，所述主副栅线的宽度小于沟槽宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国电投新能源科技有限公司 背接触异质结太阳电池的制备方法及异质结太阳电池

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