申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858508A

主分类号：H10B43/20

分类号：H10B43/20;H10B43/35;H10B43/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种存储器结构及其制造方法。上述存储器结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极、第二栅极、第一电荷存储结构与第二电荷存储结构。第一掺杂区位于衬底中。第二掺杂区位于衬底中。第一栅极位于第一掺杂区上。第二栅极位于第二掺杂区上。第一电荷存储结构位于第一栅极与第一掺杂区之间。第一电荷存储结构包括第一隧穿介电层、第一介电层与第一电荷存储层。第二电荷存储结构位于第二栅极与第二掺杂区之间。第二电荷存储结构包括第二隧穿介电层、第二介电层与第二电荷存储层。第二隧穿介电层的厚度大于第一隧穿介电层的厚度。上述存储器结构可提升数字存储器的操作速度与模拟存储器的数据保存能力。

主权项：1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂区，位于所述衬底中；第二掺杂区，位于所述衬底中；第一栅极，位于所述第一掺杂区上；第二栅极，位于所述第二掺杂区上；第一电荷存储结构，位于所述第一栅极与所述第一掺杂区之间，且包括：第一隧穿介电层，位于所述衬底上；第一介电层，位于所述第一隧穿介电层上；以及第一电荷存储层，位于所述第一介电层与所述第一隧穿介电层之间；以及第二电荷存储结构，位于所述第二栅极与所述第二掺杂区之间，且包括：第二隧穿介电层，位于所述衬底上；第二介电层，位于所述第二隧穿介电层上；以及第二电荷存储层，位于所述第二介电层与所述第二隧穿介电层之间，其中所述第二隧穿介电层的厚度大于所述第一隧穿介电层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 存储器结构及其制造方法

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