申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117856040A

主分类号：H01S5/20

分类号：H01S5/20;H01S5/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种具有谷极化自旋耦合层的半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域。该半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间设有谷极化自旋耦合层；该半导体激光器通过自旋极化电子层增强激光元件的空穴自旋极化率，抑制Mg受主补偿效应，降低内部光学损耗，提升激光模式增益，并提升自旋波传播，提升水平扩展角，抑制光场模式泄漏到衬底，降低FFP的纵横比，改善远场图像FFP质量，提升聚焦光斑分辨率，同时，自旋极化电子层改变极化场调控自旋波共振模式，使导带和价带完全自旋极化，降低阈值电流密度，提升激光元件的光功率。

主权项：1.一种具有谷极化自旋耦合层的半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，所述上波导层与上限制层之间设有谷极化自旋耦合层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有谷极化自旋耦合层的半导体激光器

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