申请/专利权人：中山大学

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855040A

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/872

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请属于太赫兹倍频器技术领域，尤其涉及基于一种基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法及装置和太赫兹倍频器；本申请提供的基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法是基于单片集成技术的构思，在同一个外延片上同时制备微带线电路与肖特基二极管，接着剥离去除掉外延片的衬底结构，留下无衬底的肖特基二极管以及悬浮的微带电路构建的薄膜型太赫兹器件，克服了传统混合集成技术制备得到的太赫兹器件留有衬底、需要导电胶固定微带电路和肖特基二极管的缺陷，从而解决现有技术中采用混合集成技术制备得到的留有衬底的太赫兹器件性能有待提高的技术问题。

主权项：1.一种基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：步骤S1、对预处理后的外延片进行ICP刻蚀，形成具有肖特基二极管台面和微带电路刻蚀区域的隔离外延片；步骤S2、对隔离外延片的一侧进行ICP刻蚀，形成具有欧姆金属接触刻蚀区域的隔离外延片；步骤S3、对隔离外延片的欧姆金属接触刻蚀区域进行金属沉积，形成具有欧姆金属接触的隔离外延片；步骤S4、对具有欧姆金属接触的隔离外延片涂覆光刻胶后，进行光刻显影，在显影区域形成具有肖特基金属接触和微带电路的隔离外延片；步骤S5、对隔离外延片的显影区域进行电镀金属，在隔离外延片的肖特基金属接触的表面和微带电路的表面形成金属电镀层；步骤S6、对隔离外延片的肖特基金属接触进行lift-off处理，形成具有空气桥结构的肖特基二极管链和金属电镀层的微带电路的外延片；步骤S7、剥离外延片的衬底，得到基于单片集成的薄膜型太赫兹器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山大学 一种基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法及装置和太赫兹倍频器

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