申请/专利权人：北京大学

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855274A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H03K3/3568;H03K19/20;H01L27/092;H01L27/088

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供多值晶体管及多值逻辑电路，涉及多值晶体管领域，所述多值晶体管包括：通道层以及设置于通道层的栅极、源极和漏极；电子过滤结构，电子过滤结构具有至少一个过滤能带隙，电子过滤结构与源极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向源极的电子，或者电子过滤结构与漏极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向漏极的电子；至少存在一个过滤能带隙位于通道层的势垒变化范围内，以在通道层的势垒导带底部能级落入过滤能带隙的范围时，使通道层的电流不变形成电流平台。通过设置有电子过滤结构，利用过滤能带隙过滤流向通道层的电子，使得在栅极电压增加过程中，通道层电流变化曲线出现电流平台形成中间态，实现三值或更多值功能。

主权项：1.多值晶体管，其特征在于，包括：通道层以及设置于所述通道层的栅极、源极和漏极；电子过滤结构，所述电子过滤结构具有至少一个过滤能带隙，所述电子过滤结构与所述源极连接以过滤在所述过滤能带隙的范围内流向所述源极的电子，或者所述电子过滤结构与所述漏极连接以过滤在所述过滤能带隙的范围内流向所述漏极的电子；至少存在一个所述过滤能带隙位于所述通道层的势垒变化范围内，以在所述通道层的势垒导带底部能级落入所述过滤能带隙的范围时，使所述通道层的电流不变形成电流平台；其中，所述通道层的所述势垒变化范围表征所述通道层的势垒导带底部能级随所述栅极施加电压变化的变化范围。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 多值晶体管及多值逻辑电路

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