申请/专利权人：山西创芯光电科技有限公司

申请日：2024-03-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855340A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/02;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种降低红外探测器盲元率的铟柱制备方法，属于红外探测器制备技术领域；解决了已完成铟柱生长但是由于铟柱生长高度低、均匀性差、顶层宽度小等缺陷造成盲元的问题；包括如下步骤：对已经生长铟柱阵列的芯片表面的铟柱高度和形貌整体进行扫描，记录芯片上所有铟柱的坐标位置和高度、形貌；用匀胶机在芯片表面匀胶、光刻，以使铟柱无效像元区未被光刻胶覆盖、有效像元区域被光刻胶覆盖保护；在完成光刻工艺后的芯片正面生长一定高度的铟层；对完成铟柱生长的芯片的正面铟层以及光刻胶进行机械减薄；采用剥离、清洗工艺处理生长铟层后的芯片；本发明应用于红外探测器。

主权项：1.一种降低红外探测器盲元率的铟柱制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1：采用仪器对已经生长铟柱阵列的芯片表面的铟柱高度和形貌整体进行扫描，记录芯片上所有铟柱的坐标位置和高度、形貌，并根据扫描结果得到有效像元区和无效像元区；步骤S2：用匀胶机在芯片表面匀胶，再通过光刻工艺在芯片上形成光刻胶阵列，以使步骤S1中铟柱无效像元区未被光刻胶覆盖、有效像元区域被光刻胶覆盖保护；步骤S3：在完成光刻工艺后的芯片正面生长设定高度的铟层，其中生长的铟层高度需大于目标铟柱高度与无效像元区最低铟柱高度的差值；步骤S4：对完成铟柱生长的芯片的正面铟层以及光刻胶进行机械减薄，直至接近光刻孔内目标铟柱高度；步骤S5：采用剥离、清洗工艺处理生长铟层后的芯片，得到生长高度大、形貌好、均匀性一致的铟柱阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山西创芯光电科技有限公司 一种降低红外探测器盲元率的铟柱制备方法

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