申请/专利权人：浙江大学绍兴研究院

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117850073A

主分类号：G02F1/035

分类号：G02F1/035;G02F1/03;G02B6/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器，包括衬底、氧化硅层和铌酸锂薄膜，所述氧化硅层位于所述衬底的一侧并且所述铌酸锂薄膜位于所述氧化硅层远离所述衬底的一侧，所述铌酸锂薄膜设有若干凸出的脊形波导结构；所述脊形波导结构包括第一调制臂和第二调制臂，所述第一调制臂和所述第二调制臂远离所述氧化硅层的一侧设置有氧化硅上盖层；所述氧化硅上盖层远离所述铌酸锂薄膜的一侧设置有GSG行波电极和若干上下层电极。本发明公开的一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器，可以有效解决阻抗不匹配、电信号反射较大、微波损耗大等问题，提高调制器带宽。

主权项：1.一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器，其特征在于，包括衬底、氧化硅层和铌酸锂薄膜，其中：所述氧化硅层位于所述衬底的一侧并且所述铌酸锂薄膜位于所述氧化硅层远离所述衬底的一侧，所述铌酸锂薄膜设有若干凸出的脊形波导结构；所述脊形波导结构包括第一调制臂和第二调制臂，所述第一调制臂和所述第二调制臂远离所述氧化硅层的一侧设置有氧化硅上盖层；所述氧化硅上盖层远离所述铌酸锂薄膜的一侧设置有GSG行波电极和若干上下层电极；所述GSG行波电极包括第一地传输电极、第二地传输电极和设置在所述第一地传输电极和所述第二地传输电极之间的信号传输电极，所述第一地传输电极、所述信号传输电极和所述第二地传输电极之间平行设置；所述上下层电极包含若干俯视结构为相同H形状的上层结构和下层结构并且所述上层结构和所述下层结构之间形成互感结构，所述上层结构和所述下层结构用于改变GSG行波电极的单位长度上的电感值，所述上层结构和所述下层结构之间设有距离并且所述上层结构位于所述下层结构远离所述氧化硅上盖层的一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学绍兴研究院 一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器

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