申请/专利权人：日月新半导体(苏州)有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855191A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/48;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及Openface基板技术领域，具体是一种集成电路产品制作工艺，包括如下步骤：将QFN框架进行单面贴膜；通过涂胶工艺，对所述QFN框架中的镂空位置进行封胶；对封胶后的所述QFN框架进行切割；对切割后的所述QFN框架进行焊线，形成不同打线类型的待测品。本发明的集成电路产品制作工艺通过使用液态树脂对QFN框架中的镂空位置进行填充，且将QFN框架上的液态树脂进行去除后，再进行烘烤固化即后续处理，从而无需研磨，进而可以减少由于研磨造成的损耗的同时，还提高了效率，降低了成本。

主权项：1.一种集成电路产品制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：将QFN框架进行单面贴膜；对所述QFN框架中的镂空位置进行封胶；对封胶后的所述QFN框架进行切割；对切割后的所述QFN框架进行焊线，形成不同打线类型的待测品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日月新半导体(苏州)有限公司 集成电路产品制作工艺

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