申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858505A

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种提高控制栅填充窗口的方法，提供衬底，在衬底形成有浅沟槽隔离以定义出存储单元的有源区，浅沟槽隔离的高度高于衬底表面，浅沟槽隔离之间的间隙中形成有位于衬底上的栅极氧化层和位于栅极氧化层上的栅极多晶硅层；在浅沟槽隔离、栅极多晶硅层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得存储单元上的浅沟槽隔离、栅极多晶硅层裸露；利用存储单元凹槽刻蚀工艺刻蚀浅沟槽隔离至第一目标高度，去除光刻胶层；利用酸性溶液刻蚀浅沟槽隔离、栅极多晶硅层，使得位于浅沟槽隔离上方的栅极多晶硅层为梯形结构。本发明规避了转移机台末酸过货的步骤，提高了生产效率；同时使凹槽开口成倒梯形，增大了后续的控制栅填充窗口。

主权项：1.一种提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底形成有浅沟槽隔离以定义出存储单元的有源区，所述浅沟槽隔离的高度高于所述衬底表面，所述浅沟槽隔离之间的间隙中形成有位于所述衬底上的栅极氧化层和位于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅层；步骤二、在所述浅沟槽隔离、所述栅极多晶硅层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层，使得所述存储单元上的所述浅沟槽隔离、所述栅极多晶硅层裸露；步骤三、利用存储单元凹槽刻蚀工艺刻蚀所述浅沟槽隔离至第一目标高度，去除所述光刻胶层；步骤四、利用酸性溶液刻蚀所述所述浅沟槽隔离、所述栅极多晶硅层，使得位于所述浅沟槽隔离上方的所述栅极多晶硅层为梯形结构；步骤五、刻蚀所述浅沟槽隔离至第二目标厚度形成凹槽，使得凹槽开口为上宽下窄的倒梯形。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 提高控制栅填充窗口的方法

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