申请/专利权人：成都芯忆联信息技术有限公司

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117854563A

主分类号：G11C16/26

分类号：G11C16/26;G11C16/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种基于读电压表设置NandFlash读电压的方法及装置，包括：S1、建立读电压表，记录每个plane对应的第一读电压值；S2、获取下发命令；S3、判断下发命令是否为读命令，是则获取该读命令的第二读电压值；S4、判断第二读电压值与第一读电压值是否相等，若不等则进入步骤S5；S5、下发对应plane的设置读电压命令；S6、将第二读电压值替换掉读电压表中对应plane的第一读电压值，该方法通过检测当前读命令需要设置的读电压值是否命中指定plane上对应level的读电压值，从而下发设置读电压的命令，仅在需要读取时设置NandFlash对应plane的读电压值，避免对全盘设置NandFlash的读电压值造成的时间浪费以及性能损失，大大提高了SSD的性能。

主权项：1.一种基于读电压表设置NandFlash读电压的方法，包括：S1、建立读电压表，记录每个plane对应的第一读电压值；S2、获取下发命令；S3、判断下发命令是否为读命令，是则获取该读命令的第二读电压值；S4、判断第二读电压值与第一读电压值是否相等，若不等则进入步骤S5；S5、下发对应plane的设置读电压命令，获取更新后的第二读电压值；S6、将第二读电压值替换掉读电压表中对应plane的第一读电压值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都芯忆联信息技术有限公司 基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

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