申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司

申请日：2021-01-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112786097B

主分类号：G11C16/16

分类号：G11C16/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.05.28#实质审查的生效;2021.05.11#公开

摘要：本发明公开一种基于擦除时间判断NANDFlash对浅擦除处理的方法，本方法首先确定其他因素对擦除时间的干扰，根据确定的其他因素，设置不同的对照组。对不同对照组进行多次擦写操作，每次的写入量保持与之前的写入量相同，并记录擦除时间。将每个对照组，多次擦写的擦除时间计算平均值，并记录数据整理到表格里。基于表格，分析写入量对擦除时间的影响，判断NANDFlash自身是否对浅擦除的块先写无效数据再擦除。本发明可以判断在用户下发擦除命令后，NANDFlash内部是否对浅擦除的块进行写无效数据的处理，用户可根据结论判断是否还需要对浅擦除的块写无效数据，从而避免无效冗余操作，提升NAND访问效率。

主权项：1.一种基于擦除时间判断NANDFlash对浅擦除处理的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、确定n个对擦除时间存在干扰的因素S1、S2、…、Sn，n为正整数；S02）、基于步骤S01）确定的n个因素，对要判断的NANDFlash的块进行n级分组，一级分组按因素S1进行分组，二级分组按因素S2对一级分组的结果进行分组，依次类推，n级分组按因素Sn对n-1级分组的结果进行分组，n级分组的结果称为对照组；S03）、对不同对照组的NANDFlash的块进行多次擦写操作，对于每个对照组，其每次的写入量与之前的写入量相同，并记录擦除时间；S04）、将每个对照组多次擦写的擦除时间计算平均值，并记录到表格中；S05）、基于表格，分析写入量对擦除时间的影响，从而判断NANDFlash对浅擦除处理方式；具体为：如果在不同因素下，写入量在某个比例以下时的擦除时间比写满Block所用擦除时间多，则判断在用户下发擦除命令后，NANDFlash内部对写入量低于该比例的Block，消耗时间进行了内部写无效数据的处理，然后再执行擦除命令；如果在不同因素下，写入量在某个比例以下的擦除时间小于或等于写满Block所用擦除时间，则判断在用户下发擦除命令后，NANDFlash内部对写入量低于该比例的Block，内部没有进行写无效数据的处理，而是直接执行擦除命令。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华芯半导体有限公司 一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

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