申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894743A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本申请提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，包括以下步骤：形成位于衬底上表面且包括依次层叠的第一膜层、第二膜层的硬掩膜层；形成至少一由硬掩膜层的上表面延伸至衬底内的第一沟槽；形成位于第一沟槽内壁的衬垫层，并对位于第二膜层处的衬垫层进行第一减薄处理，第一沟槽未被衬垫层填充部分作为第二沟槽，第二沟槽的底部尺寸小于第二沟槽的开口尺寸；对位于第一膜层处的衬垫层进行第二减薄处理，以扩大衬垫层位于第一膜层处的开口尺寸；对第一沟槽内壁的衬垫层进行平滑处理；形成位于第二沟槽内的填充层。本申请的浅沟槽隔离结构及其制备方法实现了对浅沟槽隔离结构中沟槽的无空隙填充，保证了浅沟槽隔离结构的性能。

主权项：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：形成位于衬底上表面的硬掩膜层，所述硬掩膜层包括依次层叠的第一膜层、第二膜层；形成由所述硬掩膜层的上表面延伸至所述衬底内的第一沟槽；形成位于所述第一沟槽内壁及所述硬掩膜层的上表面的衬垫层，并对位于所述第二膜层处的所述衬垫层进行第一减薄处理，所述第一沟槽未被所述衬垫层填充的部分作为第二沟槽，所述第二沟槽的底部尺寸小于所述第二沟槽的开口尺寸；对位于所述第一膜层处的所述衬垫层进行第二减薄处理，以扩大所述衬垫层位于所述第一膜层处的开口尺寸；采用平滑处理工艺对所述第一沟槽内壁的所述衬垫层进行平滑处理；形成位于所述第二沟槽内的填充层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州富芯半导体有限公司 一种浅沟槽隔离结构及其制备方法

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