申请/专利权人：深圳市宝国电子科技有限公司

申请日：2023-08-14

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN220733362U

主分类号：H10B41/00

分类号：H10B41/00;H01L23/49

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权

摘要：本实用新型涉及Flash存储模组技术领域，具体为一种低功耗Flash存储模组，包括Flash存储模组，所述Flash存储模组外部中间处设有引脚，所述Flash存储模组由上封层、下封层、电荷层、隧穿氧化层、浮置栅极、耦合介质层和控制栅极组成，且所述上封层和下封层内部设有电荷层、隧穿氧化层、浮置栅极、耦合介质层和控制栅极，所述电荷层上端中间处设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上端设有浮置栅极，所述浮置栅极上端设有耦合介质层，所述耦合介质层上端设有控制栅极，所述引脚由源极和漏极组成。

主权项：1.一种低功耗Flash存储模组，包括Flash存储模组1，其特征在于：所述Flash存储模组1外部中间处设有引脚2，所述Flash存储模组1由上封层101、下封层102、电荷层103、隧穿氧化层104、浮置栅极105、耦合介质层106和控制栅极107组成，且所述上封层101和下封层102内部设有电荷层103、隧穿氧化层104、浮置栅极105、耦合介质层106和控制栅极107，所述电荷层103上端中间处设有隧穿氧化层104，所述隧穿氧化层104上端设有浮置栅极105，所述浮置栅极105上端设有耦合介质层106，所述耦合介质层106上端设有控制栅极107，所述引脚2由源极201和漏极202组成，所述引脚2下端为斜面结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市宝国电子科技有限公司 一种低功耗Flash存储模组

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