申请/专利权人：南京南瑞半导体有限公司;国网浙江省电力有限公司杭州供电公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117851770A

主分类号：G06F18/20

分类号：G06F18/20;G06F18/213;G06F18/27

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统，涉及功率半导体器件技术领域，包括在包括IGBT和二极管的器件中，采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册，从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合；基于特性曲线参数拟合结果，计算器件的总损耗；对器件的热网络进行等效，构建IGBT和二极管等效热网络模型，并根据热网络模型分析器件最高结温。本发明所述方法通过提取IGBT和二极管的特性曲线参数，提高了器件损耗结温估计的精准度；通过基于特性曲线参数，计算器件的导通损耗和开断损耗，提高了系统整体效率和器件损耗结温估计的可靠性；通过构建IGBT和二极管等效热网络模型，有助于提高器件的稳定性和可靠性。

主权项：1.一种分析IGBT损耗和结温的方法，其特征在于，包括：在包括IGBT和二极管的器件中，采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册，从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合；基于特性曲线参数拟合结果，计算器件的总损耗；对器件的热网络进行等效，构建IGBT和二极管等效热网络模型，并根据热网络模型分析器件最高结温。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京南瑞半导体有限公司;国网浙江省电力有限公司杭州供电公司 一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统

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