申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855334A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法，提供衬底，在衬底上形成第一外延层，在第一外延层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得其下方的硬掩膜层裸露，以定义出光电二极管的形成区域以及硬掩膜层的保留区域，保留的硬掩膜层作为连接相邻的光电二极管的支撑结构；刻蚀裸露的硬掩膜层，使得其下方的第一外延层裸露，之后去除剩余的光刻胶层；刻蚀裸露的第一外延层形成光电二极管；刻蚀去除硬掩膜层下方的第一外延层；在光电二极管上形成本征外延层，之后去除剩余的硬掩膜层；利用外延、研磨形成覆盖光电二极管的第二外延层。本发明利用硬掩膜层连接光电二极管，能够防止光电二极管剥落。

主权项：1.一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成第一外延层，在所述第一外延层上形成硬掩膜层；步骤二、在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得其下方的所述硬掩膜层裸露，以定义出光电二极管的形成区域以及所述硬掩膜层的保留区域，保留的所述硬掩膜层作为连接相邻的光电二极管的支撑结构；步骤三、刻蚀裸露的所述硬掩膜层，使得其下方的所述第一外延层裸露，之后去除剩余的所述光刻胶层；步骤四、刻蚀裸露的所述第一外延层形成光电二极管；步骤五、刻蚀去除所述硬掩膜层下方的所述第一外延层；步骤六、在所述光电二极管上形成本征外延层，之后去除所述剩余的所述硬掩膜层；步骤七、利用外延、研磨形成覆盖所述光电二极管的第二外延层。

全文数据：

权利要求：

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