申请/专利权人：西北工业大学

申请日：2021-11-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113937618B

主分类号：H01S5/125

分类号：H01S5/125;H01S5/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.02.01#实质审查的生效;2022.01.14#公开

摘要：本发明涉及一种基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，包括如下步骤：1采用高真空电子束蒸镀技术在Si衬底表面交替沉积一定对数的折射率不同的介质膜材料，形成分布式布拉格反射镜，构造平板半微腔；2采用机械剥离或是化学气相沉积法将少层二维半导体材料制备在平板半微腔上；3在合适的激发光源作用下便可以形成激子极化激元。本发明大幅简化了传统的谐振腔或增益介质的多重插入式结构设计，在少层二维半导体材料表面形成激子极化激元，使得激子极化激元更容易观测和调控，有利于实用型二维半导激子极化激元器件的开发及应用。

主权项：1.一种基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：在标准硅片上采用高真空电子束蒸镀技术交替沉积两种介质膜材料，先沉积低折射率介质膜材料，再沉积高折射率介质膜材料，构造出平板半微腔；所述低折射率介质膜材料的折射率为nb，厚度为所述高折射率介质膜材料的折射率为na，厚度为其中：λc为平板半微腔禁带中心的位置；所述平板半微腔的衬底禁带的反射率在99％以上；步骤2：采用机械剥离或是化学气相沉积的方法在平板半微腔上制备少层二维半导体材料；所述步骤2中机械剥离少层二维半导体材料具体是：将半导体材料晶源放置在机械剥离专用蓝膜上反复粘叠，然后将PDMS附着于干净的载玻片上，然后将PDMS对准机械剥离专用蓝膜上半导体材料的位置进行粘黏并取下，从而在PDMS上获得所需层厚的二维半导体材料；之后将平板半微腔衬底放在转移平台上进行加热，加热温度为80～85℃，利用高温条件下PDMS粘性下降的特性，将少层二维半导体材料转移至平板半微腔上；所述步骤2中化学气相沉积法生长少层二维半导体材料具体是：将生长少层二位半导体材料的反应源放在石英舟中，置于石英管内，并将制备好的平板半微腔衬底倒扣在石英舟上，根据半导体材料设置反应温度和反应时间，从而制得带有少层二位半导体材料的平板半微腔器件；所述少层二维半导体材料为少层过渡金属硫族化合物，其分子式为MX2，M＝Mo或W，X＝S或Se；步骤3：以白光或能量高于少层半导体禁带宽度的激光光源作为激发光源，照射平板半微腔，在平板半微腔器件表面形成激子极化激元。

全文数据：

权利要求：

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