申请/专利权人：芯联新(河北雄安)科技有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116995526B

主分类号：H01S5/028

分类号：H01S5/028;H01S5/10;H01S5/02253

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.11.21#实质审查的生效;2023.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种空间耦合窄线宽半导体外腔激光器，包括：反射型半导体增益芯片和硅光芯片；所述反射型半导体增益芯片，两端面分别镀有高反射膜与增透膜，高反射膜一侧接收外界光线，增透膜一侧发出经过增益后的光线；所述硅光芯片，所述硅光芯片位于反射型半导体增益芯片增透膜一侧，其一侧镀有高反射膜，所述硅光芯片一方面用于光学滤波，另一方面选择性的将部分光反射回反射型半导体增益芯片，并将部分光透过高反射膜照射出去，所述硅光芯片未镀膜一侧光路与所述反射型半导体增益芯片光路相耦合。以解决现有窄线宽半导体外腔激光器制作工艺复杂、制作成本较高且容易受到环境的影响,稳定性较差的问题。

主权项：1.一种空间耦合窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，包括：反射型半导体增益芯片1和硅光芯片3；所述反射型半导体增益芯片1，两端面分别镀有高反射膜与增透膜，高反射膜一侧接收外界光线，增透膜一侧发出经过增益后的光线；所述硅光芯片3，所述硅光芯片3位于反射型半导体增益芯片1增透膜一侧，其一侧镀有高反射膜，所述硅光芯片3一方面用于光学滤波，另一方面选择性的将部分光反射回反射型半导体增益芯片1,并将部分光透过高反射膜照射出去，所述硅光芯片3未镀膜一侧光路与所述反射型半导体增益芯片1光路相耦合；所述硅光芯片3包括两个或两个以上的环形谐振器，所述环形谐振器共同组成了光学滤波器，用于过滤出目标波长，抑制其他波段的光；所述硅光芯片3还包括两个或两个以上的模斑变换器，作为硅光芯片3的光学接口，用于有效耦合芯片波导和外界光路；所述硅光芯片3还包括一个或一个以上的螺线型波导；所述硅光芯片3的环形谐振器和部分波导上附有热电极,通过调节电流大小控制所述热电极发热，控制光学滤波器输出光的波长和输出光的相位。

全文数据：

权利要求：

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