申请/专利权人：苏州元脑智能科技有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117667758B

主分类号：G06F12/06

分类号：G06F12/06;G06F12/0811;G06F12/0877

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本申请提供一种L3级缓存扩展装置、访问方法、访问装置、设备及介质，涉及存储技术领域，该L3级缓存扩展装置包括：FPGA芯片、SRAM和CXL接口，SRAM作为L3级扩展缓存的存储器；FPGA芯片与SRAM相连，FPGA芯片内置CXL接口；FPGA芯片的固件被配置为：通过CXL接口接收CPU芯片发送的CXL.CACHE访问命令，响应CXL.CACHE访问命令，访问L3级扩展缓存。由于L3级扩展缓存是在CPU芯片外扩展的，不受CPU芯片尺寸、功耗等因素的限制；并且，CXL接口支持CXL.CACHE协议，可以保证L3级扩展缓存与主存之间数据的一致性；因此，本申请可以实现在CPU芯片外扩展L3级缓存。

主权项：1.一种L3级缓存扩展装置，其特征在于，包括：现场可编程逻辑门阵列FPGA芯片、静态随机存储器SRAM和CXL接口，所述SRAM作为L3级扩展缓存的存储器；其中，所述FPGA芯片与所述SRAM相连，所述FPGA芯片内置所述CXL接口；所述FPGA芯片的固件被配置为：通过所述CXL接口接收CPU芯片发送的CXL.CACHE访问命令，响应所述CXL.CACHE访问命令，访问所述L3级扩展缓存。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州元脑智能科技有限公司 L3级缓存扩展装置、访问方法、访问装置、设备及介质

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