申请/专利权人：北京交通大学

申请日：2022-03-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114520558B

主分类号：H02K3/12

分类号：H02K3/12;H02K3/28;H02K3/42;H02K9/20;H02K1/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.06.07#实质审查的生效;2022.05.20#公开

摘要：本发明提供一种抑制顶匝线圈涡流损耗和温升的电机定子绕组，属于电机技术领域，顶匝线圈是指定子槽内最靠近气隙的绕组导体，所述的电机定子绕组包括中空矩形导体。电机定子绕组还包括实心矩形导体；其中，最靠近气隙的顶匝线圈开始向下至少布置一层所述中空矩形导体，其余为实心矩形导体；中空矩形导体与对应的线圈下层边实心矩形导体之间通过电机端部连结，构成一匝完整线圈。本发明降低了靠近气隙的顶匝及其附近绕组涡流损耗大、温升过高、导体间温差过大等问题，提高了电机使用寿命和可靠性；可有效抑制靠近气隙的顶匝及其附近导体因横向漏磁通产生的涡流损耗，降低顶匝及其附近导体温度，降低槽内导体间温差以及由温度分布不均产生的热应力。

主权项：1.一种抑制顶匝线圈涡流损耗和温升的电机定子绕组，其特征在于，所述的顶匝线圈是指定子槽内最靠近气隙的绕组导体，所述的电机定子绕组包括中空矩形导体；所述的电机定子绕组还包括实心矩形导体；其中，最靠近气隙的顶匝线圈开始向下至少布置一层所述中空矩形导体，其余为实心矩形导体；中空矩形导体与对应的线圈下层边实心矩形导体之间通过电机端部连结，构成一匝完整线圈；中空矩形导体表面设轴向开槽，轴向开槽的槽深与集肤深度相等，以削弱定子横向漏磁通产生的涡流损耗；轴向开槽内填充绝缘材料，增加导热系数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京交通大学 抑制顶匝线圈涡流损耗和温升的电机定子绕组

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD