申请/专利权人：江苏大学

申请日：2020-09-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112234950B

主分类号：H03H9/125

分类号：H03H9/125;H03H9/15

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：本发明提供了一种石墨烯电极二硫化钼谐振器及其制备方法，通过等离子体技术将转移的多层石墨烯打出间隙，后使用聚焦离子束蚀刻二氧化硅衬底形成圆形谐振腔。接着旋涂聚甲基丙基酸甲酯光刻胶，利用电子束曝光技术仅留下填充谐振腔的PMMA。最后选择干法转移法转移MoS2谐振梁，并去除PMMA。该方法可以避免金属电极与半导体接触产生的肖特基势垒，同时也解决了谐振梁转移过程中坍塌的问题。

主权项：1.一种石墨烯电极二硫化钼谐振器的制备方法，其特征在于包括以下的加工步骤：步骤1：对硅Si衬底1进行预处理；步骤2：在Si衬底1上通过化学气相沉积法沉积一层SiO2介质层2；步骤3：对SiO2Si衬底进行清洗、烘干处理；步骤4：在烘干后的SiO2Si衬底上，使用干法转移向SiO2面上转移多层石墨烯；步骤5：利用等离子体技术将步骤4制备的多层石墨烯刻蚀成左右两部分，形成石墨烯电极4；步骤6：使用聚焦离子束技术刻蚀SiO2介质层2；步骤7：将步骤6处理过后的SiO2Si衬底放在匀胶盘上，进行旋涂PMMA光刻胶；步骤8：使用电子束直写机绘制谐振腔图案，再通过电子束曝光技术对掩模版区域进行曝光；步骤9：对刻蚀区域进行显影、定影；步骤10：通过干法转移单层MoS2谐振梁3；步骤11：清洗圆形谐振腔内的PMMA光刻胶；步骤12：对MoS2进行退火处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏大学 一种石墨烯电极二硫化钼谐振器及其制备方法

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