申请/专利权人：江苏云途半导体有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117590890B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：本申请涉及一种基于车规LDO的双向快速响应方法及电路，在该领域中，瞬态响应问题一直是相关设计领域的难题。LDO芯片在正常电压下工作时，外接负载的电流经常出现变化，LDO电路如果对负载的瞬态响应不及时，LDO电路的输出电压会出现较大的波动，会影响芯片的正常工作。本申请提供了一种在不增加复杂电路的前提下，通过复用原有电路结构引入双向快速环路给节点A提供了快速充放电能力，抑制了输出的大幅变化，大大增强了LDO的瞬态响应的方法。本申请还提供了承载上述方法的电路。

主权项：1.一种基于车规LDO的双向快速响应电路，其特征在于，所述电路包括：误差放大器通过分压网络采集功率管MPWR的反馈电压，使其与基准电压VREF比较以对功率管MPWR的输出电压VLDO进行直流稳压；其中，分压网络由两个电阻RF1和RF2组成；电阻RF1的一端与功率管MPWR的漏极相连，功率管MPWR的源极与VIN相连，电阻RF1的另一端与电阻RF2的一端相连并产生反馈电压，电阻RF2的另一端接地；误差放大器的输出端与两个电流源建立的快速环路相连；两个电流源均受到LDO的输出控制，具体实现为：LDO的输出与补偿电容CC1和CC2的连接点连接；AVDD为芯片内部模拟电压源，并为增加的两个电流源供电；推挽电路包括PMOS管MP1、PMOS管MPWR、NMOS管MN1；PMOS管MP1和PMOS管MPWR的源极分别连接电源电压VIN，NMOS管MN1的源极接地，PMOS管MP1的栅极和漏极分别与PMOS管MPWR的栅极连接，PMOS管MP1的漏极与NMOS管MN1的漏极连接；A点通过电容CA接地，A点为MN1的栅极点；其中，两个电流源建立的快速环路具体结构为：PMOS管MP3和PMOS管MP2的源极分别连接电源电压AVDD；PMOS管MP2的栅极和漏极分别与PMOS管MP3的栅极连接；PMOS管MP3的漏极与NMOS管MN3的漏极连接；NMOS管MN3的源极接地；NMOS管MN2的栅极和漏极分别与NMOS管MN3的栅极连接；NMOS管MN2的源极接地；C点和D点通过两个补偿电容CC1和CC2连接，C点和D点分别为MP3、MN3的栅极点；其中MN2、MN3、MP2、MP3与误差放大器复用，为A点提供推挽电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏云途半导体有限公司 一种基于车规LDO的双向快速响应方法及电路

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