申请/专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司

申请日：2021-08-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113793800B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C30B33/02;B08B7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2021.12.14#公开

摘要：本发明公开了一种半导体单晶硅片的除杂工艺及半导体单晶硅片的制造工艺，所述除杂工艺包含对硅片进行热处理,在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层，所述吸杂层捕获硅片表层及体内的金属杂质并经抛光去除的步骤。本发明的半导体单晶硅片的除杂工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片金属污染水平，并且能长时间保持表面金属污染水平的稳定。

主权项：1.一种半导体单晶硅片的除杂工艺，包括如下步骤：1对硅片进行热处理，在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层；2对热处理后的硅片进行抛光，去除所述吸杂层；所述步骤1中热处理的工艺为：a将硅片在快速退火炉中以50-200℃s的升温速率加热到1200-1350℃并保温，保温时间不超过3秒，以50-200℃s的降温速率降温到800-950℃后自然冷却；b将步骤a处理后的硅片送入起始温度为600-800℃热处理炉中进行氧沉淀成核与生长热处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司 一种半导体单晶硅片的除杂工艺及制造工艺

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