申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2024-02-05

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117711918B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C23C16/24;C23C16/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明涉及半导体领域，涉及一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，准备玻璃基板作为衬底，表面清洗后，在烘箱内干燥；步骤2，制备硅化铜多孔微球，并与硅溶胶混合形成复合液；步骤3，在衬底上涂覆复合液，经过一定温度的处理后，形成复合层；步骤4，在复合层上通过化学气相沉积法沉积非晶硅层；步骤5，对衬底预热处理后，再对非晶硅层进行低温激光处理，得到多晶硅薄膜。本发明通过对现有技术的方法进行改进，在低温的条件下制备了多晶硅薄膜，制备过程比较简便，形成多晶硅的时间也比较短，适合大规模的推广使用。本发明制备的多晶硅薄膜的晶粒尺寸较大、缺陷比较少并且排列比较规整，此外，多晶硅薄膜的电子迁移率也比较大。

主权项：1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：准备玻璃基板作为衬底，表面清洗后，在烘箱内干燥；步骤2：制备硅化铜多孔微球，并与硅溶胶混合形成复合液；步骤3：在衬底上涂覆复合液，经过一定温度的处理后，形成复合层；步骤4：在复合层上通过化学气相沉积法沉积非晶硅层；步骤5：对衬底预热处理后，再对非晶硅层进行低温激光处理，得到多晶硅薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种低温多晶硅薄膜及其制备方法

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