申请/专利权人：浙江工业大学

申请日：2022-05-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN115007877B

主分类号：B22F10/28

分类号：B22F10/28;B22F10/38;B22F10/85;B22F10/73;B08B5/04;B33Y10/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开

摘要：本发明公开了一种使用掩膜实现同层异质材料选区激光熔化的增材制造方法，该方法实现了同层异质材料的选区激光熔化，满足了多材料快速成形制造的需求；对于不同结构由不同材料组成或同一结构由不同材料组成的模型均可实现；在铺粉时利用掩膜来隔绝不同粉末，清除回收不同种类粉末时使用不同个吸粉装置，基本无粉末泄露，最大程度地避免了粉末混合污染，粉末回收利用率高，减少了粉末的浪费；成形过程中异质粉末分别熔化，成形精度有保证。

主权项：1.一种使用掩膜实现同层异质材料选区激光熔化的增材制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1对有A、B两种材料构成的零件模型进行数字化分层，将每层中使用A粉末成形的区域称为A区域，使用B粉末成形的区域称为B区域，对A区域、B区域和区域结合部分别进行路径规划；2在设备的成形区底部放置基板，使用铺粉装置铺一层A粉末，并根据规划好的路径对A区域进行重熔扫描；3在扫描后的A粉层上方覆盖一层掩膜；4对B区域进行激光扫描，使该区域掩膜气化分解；5使用吸粉装置吸走B区域中的A粉末；6使用铺粉装置铺一层B粉末，此时B粉末会填充满B区域；7对B区域进行激光扫描成形；8使用吸粉装置吸走掩膜上残留的B粉末；9回收掩膜；10设备成形区底部的基板下降一个层厚的高度，循环步骤2至步骤9，直到成型件加工完成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江工业大学 一种使用掩膜实现同层异质材料选区激光熔化的增材制造方法

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