申请/专利权人:广东广纳芯科技有限公司
申请日:2020-12-03
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN112436816B
主分类号:H03H3/08
分类号:H03H3/08;H03H9/02;H03H9/15;H03H9/25
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.09#授权;2021.09.24#专利申请权的转移;2021.08.27#专利申请权的转移;2021.07.09#著录事项变更;2021.03.19#实质审查的生效;2021.03.02#公开
摘要:本申请提供温度补偿型声表面波器件及其制造方法。该制造方法包括以下步骤:提供压电材料衬底;在压电材料衬底上涂覆第一光刻胶,对第一光刻胶进行曝光、显影,定义出IDT金属层半埋沟壑图形;刻蚀压电材料衬底以形成与IDT金属层半埋沟壑图形对应的IDT金属填埋沟,去除第一光刻胶;在刻蚀后的压电材料衬底上沉积金属以形成IDT金属层、且使得IDT金属层填满并溢出IDT金属填埋沟;在IDT金属层上涂覆第二光刻胶,对第二光刻胶进行曝光、显影,定义出IDT图形;刻蚀IDT金属层以形成与IDT图形对应的IDT金属指条结构,去除第二光刻胶;在压电材料衬底及IDT金属指条结构上沉积介质材料以形成介质层。
主权项:1.一种温度补偿型声表面波器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供压电材料衬底的步骤;在所述压电材料衬底上涂覆第一光刻胶,对所述第一光刻胶进行曝光、显影,定义出IDT金属层半埋沟壑图形的步骤;刻蚀所述压电材料衬底以形成与所述IDT金属层半埋沟壑图形对应的IDT金属填埋沟,去除所述第一光刻胶的步骤;在刻蚀后的所述压电材料衬底上沉积金属以形成IDT金属层、且使得所述IDT金属层填满并溢出所述IDT金属填埋沟的步骤;在所述IDT金属层上涂覆第二光刻胶,对所述第二光刻胶进行曝光、显影,定义出IDT图形的步骤;刻蚀所述IDT金属层以形成与所述IDT图形对应的IDT金属指条结构,去除所述第二光刻胶的步骤;及在所述压电材料衬底及所述IDT金属指条结构上沉积介质材料以形成介质层的步骤。
全文数据:
权利要求:
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