申请/专利权人:胜高股份有限公司
申请日:2019-08-05
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN113302718B
主分类号:H01L21/205
分类号:H01L21/205;B24B1/00;C23C16/24;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/304
优先权:["20181227 JP 2018-245106"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.09#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开
摘要:为了提供可抑制DIC缺陷的硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片,本发明提供硅外延晶片的制造方法,所述制造方法是使外延层在以{110}面或自{110}面的偏离角小于1度的面为主面的单晶硅晶片的上述主面上进行气相生长,其中,将上述单晶硅晶片的温度设为1140℃~1165℃,以0.5μm分钟~1.7μm分钟的生长速度使上述外延层进行气相生长。
主权项:1.硅外延晶片的制造方法,所述硅外延晶片的制造方法是使外延层在以{110}面或自{110}面的偏离角小于1度的面为主面的单晶硅晶片的上述主面上进行气相生长,其中,将上述单晶硅晶片的温度设为1140℃~1165℃,以0.5μm分钟~1.7μm分钟的生长速度使上述外延层进行气相生长,使用微分干涉相衬法观察的外延层表面的凹凸形状的台阶状微小缺陷设为1.5个300mm晶片以下,所述台阶状微小缺陷的高度超过3nm。
全文数据:
权利要求:
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