申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-06-25

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN110880447B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;C23C16/458;C23C16/513

优先权：["20180905 KR 10-2018-0105731"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2020.03.13#公开

摘要：提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

主权项：1.一种等离子体沉积方法，所述等离子体沉积方法包括以下步骤：将基底装载到腔室内的基底台上；在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体；向第一等离子体区域供应第一工艺气体以对基底执行预处理工艺；在与基底隔开不同于第一距离的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体；以及向第二等离子体区域供应第二工艺气体以对基底执行沉积工艺，其中，产生第一等离子体的步骤和产生第二等离子体的步骤包括经过设置在腔室的上部中的绝缘板供应微波，其中，产生第一等离子体的步骤包括使基底台与绝缘板之间保持第一间隙，其中，产生第二等离子体的步骤包括使基底台与绝缘板之间保持第二间隙，第二间隙大于第一间隙，其中，第一间隙小于100mm，其中，第一工艺气体包括氢气。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 等离子体沉积方法和等离子体沉积设备

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