申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2024-02-22

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117835809A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10N70/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提出了一种全范德华界面拓扑相变忆阻器及其制备方法，涉及半导体信息存储和人工突触器件技术领域。其制备步骤为：采用脉冲激光沉积法在衬底层上沉积底电极层；采用脉冲激光沉积法，在钙钛矿型衬底上依次沉积钙钛矿牺牲层和存储介质层；采用湿法转移法将存储介质层覆盖在底电极层上；采用磁控溅射法或电子束蒸发法在SiO2Si衬底表面沉积顶电极层；采用湿法转移法将顶电极层覆盖在存储介质层上。采用湿法转移工艺，依次在底电极层转移叠加拓扑相变材料即存储介质层和顶电极层，实现存储介质层与底电极层之间、存储介质层与顶电极层之间的范德华接触界面，从而减少因为接触缺陷而导致的拓扑相变导电丝成型无序的现象，进而提升拓扑相变忆阻器的性能。

主权项：1.一种全范德华界面拓扑相变忆阻器，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、存储介质层和顶电极层，所述存储介质层与所述底电极层和顶电极层之间的界面均为范德华力接触界面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种全范德华界面拓扑相变忆阻器及其制备方法

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