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【发明公布】植入式脊髓硬膜电极_浙江大学金华研究院_202311804915.3 

申请/专利权人:浙江大学金华研究院

申请日:2023-12-26

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN117815540A

主分类号:A61N1/05

分类号:A61N1/05;A61N1/36

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要:本发明公开了一种植入式脊髓硬膜电极。电极的可降解衬底和不可降解柔性衬底的一端相互连接,可降解电极分布在可降解衬底的另一端侧面,可降解导线分布在可降解衬底上且连接可降解电极,不可降解导线分布在不可降解柔性衬底上且连接可降解导线,接口分布在不可降解柔性衬底的另一端侧面且连接不可降解导线,可降解绝缘层和不可降解绝缘层分别覆盖在可降解导线和不可降解导线上且相互连接。本发明采用电极阵列的设计,具有触点多,精度高的优势,电极结构采用空心结构,以确保电极能够与脊髓充分贴合。电极端采用可降解材料,以规避二次手术取出可能带来的潜在风险,电气连接段选用不可降解材料,以确保信号传输的稳定性和可靠性。

主权项:1.一种植入式脊髓硬膜电极,其特征在于:包括可降解衬底1;包括平行连接可降解衬底1的一端后形成一体式片状结构的不可降解柔性衬底11;包括均匀阵列间隔分布在可降解衬底1的另一端侧面并远离不可降解柔性衬底11的若干可降解电极3;包括均匀间隔分布在可降解衬底1的各个可降解电极3所在的一侧面且一端分别连接各个可降解电极3的若干可降解导线2;包括均匀间隔分布在不可降解柔性衬底11的各个可降解导线2所在的一侧面且一端分别连接各个可降解导线2的另一端的若干不可降解导线21;包括均匀间隔分布在不可降解柔性衬底11的各个不可降解导线21所在的一侧面且一端分别连接各个不可降解导线21的另一端的若干接口4;包括覆盖于各个可降解导线2上的可降解绝缘层5;包括覆盖于各个不可降解导线21上并平行连接可降解绝缘层5的不可降解绝缘层6。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江大学金华研究院 植入式脊髓硬膜电极

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