申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832305A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/0312;H01L31/102

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明涉及内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器包括：衬底层、第一掺杂类型外延层、多个梯形浮动结、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极；将第一欧姆接触电极、第二掺杂类型外延层、第一掺杂类型外延层、衬底层和第二欧姆接触电极自上而下排列，多个梯形浮动结为通过离子注入进行掺杂的方式形成于第一掺杂类型外延层内部的梯形结构，且多个梯形浮动结的掺杂类型与第一掺杂类型外延层的掺杂类型不同；多个梯形浮动结两两之间的间距为2μm～10μm，并且多个梯形浮动结各自的上底边与相邻斜边的夹角范围为22°～90°。上述结构的碳化硅辐照探测器利用多个梯形浮动结使得其内部电场均匀化，并降低浮动结全耗尽所需工作电压，提升整体载流子收集效率，提高电荷收集效率以及探测效率。

主权项：1.一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，包括：衬底层1、第一掺杂类型外延层2、多个梯形浮动结3、第二掺杂类型外延层4、第一欧姆接触电极5、第二欧姆接触电极6；所述第一欧姆接触电极5、所述第二掺杂类型外延层4、所述第一掺杂类型外延层2、所述衬底层1和所述第二欧姆接触电极6自上而下依次排列；所述多个梯形浮动结3为通过离子注入进行掺杂的方式形成于所述第一掺杂类型外延层2内部的梯形结构，且所述多个梯形浮动结3的离子掺杂类型与所述第一掺杂类型外延层2的离子掺杂类型不同；所述第一掺杂类型外延层2中包含至少一层由所述多个梯形浮动结3组成的浮动结结构，每层所述浮动结结构中的多个梯形浮动结3两两之间的间距为2μm～10μm，所述多个梯形浮动结3各自的上底边与相邻斜边的夹角范围为22°～90°。

全文数据：

权利要求：

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