申请/专利权人:锐芯微电子股份有限公司
申请日:2024-01-11
公开(公告)日:2024-04-05
公开(公告)号:CN117832246A
主分类号:H01L27/148
分类号:H01L27/148;H01L27/146;H04N25/768
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开
摘要:一种eCCD像素单元及其控制方法、TDI‑CMOS图像传感器。所述eCCD像素单元包括:衬底;位于所述衬底上方的栅氧化层;以及位于所述栅氧化层上方的多个分立的多晶硅电极;其中,各所述多晶硅电极在所述衬底中具有一一对应的沟道区域;所述多晶硅电极用于接收相应驱动电压信号,以使得电荷在沟道区域间沿预设电荷传输方向上传输;所述多晶硅电极的数量为8个或者16个。采用上述方案,可以提升TDI‑CMOS图像传感器的MTF效果及CTE性能。
主权项:1.一种eCCD像素单元,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上方的栅氧化层;以及位于所述栅氧化层上方的多个分立的多晶硅电极;其中,各所述多晶硅电极在所述衬底中具有一一对应的沟道区域;所述多晶硅电极用于接收相应驱动电压信号,以使得电荷在沟道区域间沿预设电荷传输方向上传输;所述多晶硅电极的数量为8个或者16个。
全文数据:
权利要求:
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