申请/专利权人：武汉钢铁有限公司

申请日：2022-01-26

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN114561512B

主分类号：C21D1/00

分类号：C21D1/00;C21D1/26;C21D3/04;C21D6/00;C21D8/12;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/06;C22C38/16;B23K26/364;C09D1/00;C09D7/61;C09D5/25

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.06.17#实质审查的生效;2022.05.31#公开

摘要：用激光刻痕脱碳板以改善取向硅钢片磁致伸缩的方法：冶炼后浇注成坯；铸坯加热；两段常化处理；酸洗后冷轧；脱碳退火；对脱碳板激光刻痕；涂敷退火隔离剂；经对退火隔离剂烘干后高温退火；涂敷退火隔离剂后涂敷绝缘涂料；对绝缘涂层经烘干后烧结；对成品板激光刻痕。本发明通过采用高温加热，使基板磁致伸缩在λp‑p1750≤600nmm，A加权磁致伸缩速度在AWV1750≤53dBA，磁感应强度B8≥1.92T，并经在脱碳板上激光刻痕，获得高张力隔离底层、绝缘涂层及成品板横向激光刻痕，在基板上形成复合张力，从而获得磁致伸缩λp‑p1750≤200nmm，A加权磁致伸缩速度AWV1750≤49dBA，磁感应强度B8≥1.915T。

主权项：1.用激光刻痕脱碳板以改善取向硅钢片磁致伸缩的方法，其步骤：1经冶炼后浇注成坯；2对铸坯加热，控制加热温度在1392℃；3采用两段式常化处理，首先加热至1175℃，然后以5～15℃s的冷却速度降温至850～950℃，最后以10～50℃s的冷却速度冷却至室温；4经酸洗后冷轧至产品厚度；5进行脱碳退火，并控制脱碳退火温度在855℃，脱碳后碳含量在21PPm；6对脱碳板进行激光刻痕：在脱碳板表面沿轧向进行激光刻痕；激光刻痕采用光纤激光器；激光能量密度在0.025Jmm；所刻沟槽的：宽度在87μm，深度在1.1μm，沟槽之间间距在4mm，沟槽方向与基板轧向夹角不超过5°；7涂敷退火隔离剂，非刻痕处隔离底层厚度在1.4μm，刻痕处隔离底层厚度在2.3μm；8经对退火隔离剂烘干后进行高温退火，高温退火温度在1200℃，并在此温度下保温，保温时间不低于20个小时；9经清洗钢板表面涂敷退火隔离剂后涂敷绝缘涂料，控制非刻痕处绝缘涂层厚度在2.2μm，刻痕处绝缘涂层厚度在2.4μm；10对绝缘涂层经烘干后进行烧结，其中：控制烘干温度在683℃，烧结温度在852℃；11对成品板进行激光刻痕：在成品钢板表面垂直于轧向进行激光刻痕；激光刻痕采用CO2激光器或固体激光器或光纤激光器。

全文数据：

权利要求：

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