申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888194A

主分类号：C30B29/02

分类号：C30B29/02;C30B23/02;C30B33/02;C30B33/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种快速制备111取向单晶铜箔的方法。所述方法包括：在多晶铜箔的两面分别沉积形成石墨烯薄膜，制得石墨烯铜箔，之后对其进行二次高温退火处理或者二次高压生长，制得111取向单晶铜箔。本发明提供的方法利用石墨烯与铜111面的晶格匹配来实现石墨烯对多晶铜箔的定向诱导，使单晶化的铜箔呈现出单一的111取向，避免了传统退火晶粒取向分布随机的问题；同时该方法利用悬挂法在铜箔正反面沉积石墨烯来达到最小化表面能的作用，并通过二次高温退火或二次高压生长来诱导多晶铜箔表面重构，诱导111晶核大范围同时形核长大，实现多晶铜箔的快速单晶化，解决了单晶铜箔制备效率低的问题。

主权项：1.一种快速制备111取向单晶铜箔的方法，其特征在于，包括：提供多晶铜箔，并在所述多晶铜箔的两面分别沉积形成石墨烯薄膜，制得石墨烯铜箔；对所述石墨烯铜箔进行二次高温退火处理或者二次高压生长，制得111取向单晶铜箔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种快速制备(111)取向单晶铜箔的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD