申请/专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司

申请日：2022-04-02

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN114784140B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/068;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本发明提供了一种Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机，涉及太阳能光伏技术领域，该方法先提供硅片，该硅片包括正面和与正面相对的背面，以及连接正面和背面的侧面，再在正面制备硼掺杂层，在背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，在制备隧穿氧化层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层，以及在制备磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述遂穿氧化层的磷内扩层；去除绕镀的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和隧穿氧化层后，再采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，能够继续刻蚀硅片边缘，有效去除磷内扩层，降低边缘磷过扩浓度，提升正面钝化效果，避免漏电问题。

主权项：1.一种Topcon电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅片，所述硅片包括正面和与所述正面相对的背面，以及连接所述正面和所述背面的侧面；在所述正面制备硼掺杂层，以及在所述背面依次制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，其中，在制备所述隧穿氧化层的过程中形成绕镀在所述侧面的隧穿氧化层，以及在制备所述磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在所述侧面的所述隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述隧穿氧化层的磷内扩层；去除绕镀的所述磷硅玻璃层、绕镀的所述磷掺杂多晶硅层、绕镀的所述隧穿氧化层；采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对所述硅片进行清洗，以去除所述侧面的所述磷内扩层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机

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