申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-09-15

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN112262473B

主分类号：H10B43/00

分类号：H10B43/00;H10B43/30;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.02.09#实质审查的生效;2021.01.22#公开

摘要：公开了三维3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一示例中，3D存储器件包括衬底、布置在衬底上并且包括多个交错的导电层和电介质层的存储器堆叠体、以及多个沟道结构，每个沟道结构垂直地延伸穿过存储器堆叠体以及具有与导电层邻接的多个突出部分和与电介质层邻接的多个正常部分。多个沟道结构中的每个沟道结构包括沿着沟道结构的侧壁的阻挡层和在阻挡层之上的存储层。存储层包括在沟道结构的突出部分中的多个电荷捕获结构、以及在沟道结构的正常部分中并且连接多个电荷捕获结构的多个保护结构。

主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：衬底；布置在所述衬底上并且包括多个交错的导电层和电介质层的存储器堆叠体；以及多个沟道结构，每个沟道结构垂直地延伸穿过所述存储器堆叠体并且具有与所述导电层邻接的多个突出部分和与所述电介质层邻接的多个正常部分，所述多个沟道结构中的每个沟道结构包括：阻挡层，其沿着所述沟道结构的侧壁；以及存储层，其在所述阻挡层之上并且包括：在所述沟道结构的所述突出部分中的多个电荷捕获结构；以及在所述沟道结构的所述正常部分中并且连接所述多个电荷捕获结构的多个保护结构，其中，所述多个保护结构与所述多个电荷捕获结构的材料相同，并且其中，所述多个电荷捕获结构中的每个电荷捕获结构的厚度大于所述多个保护结构中的每个保护结构的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器件中具有突出部分的沟道结构以及用于形成其的方法

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