申请/专利权人：深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117542818B

主分类号：H01L23/488

分类号：H01L23/488;H01L21/48;C25D5/10;C25D3/62;C25D3/64;C25D7/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明公开了一种金银合金凸块及其制备方法和应用，属于半导体倒装芯片封装技术领域。所述金银合金凸块由两层金银合金层组成，分别为连接层和防护层；所述连接层金的含量为20‑50wt%；所述防护层的厚度远小于连接层，金的含量为60wt%以上。本发明提供的金银合金凸块，具有与纯金凸块相当的硬度、粗糙度和抗硫化性能，能够满足倒装芯片封装的技术需求，同时能够大幅降低成本。本发明提供的金银合金凸块方法，可以通过同一设备和镀液，仅改变电流密度，即可获得本发明的双层结构金银合金凸块，简化制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。

主权项：1.一种金银合金凸块的制备方法，其特征在于，所述金银合金凸块由两层金银合金层组成，分别为连接层和防护层；所述连接层金的含量为20-50wt%；所述防护层的金含量为60wt%以上；所述金银合金层中晶粒的平均粒径为0.10-0.30μm，所述连接层的厚度为7-20μm，所述防护层的厚度为10-500nm；所述制备方法包括以下步骤：S1对待封装芯片预处理，准备电镀液，所述电镀液包括以下组分：氰化亚金钾、氰化银钾、焦磷酸钾和乙内酰脲，pH值8-10；S2将待封装芯片置于步骤S1的电镀液中，采用低电流密度电镀，制备金银合金凸块的连接层；S3使用同一电镀液和设备，采用高电流密度电镀，制备金银合金凸块的防护层；S4去除待封装芯片的辅助材料；S5对金银合金凸块退火处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司 一种金银合金凸块及其制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD