申请/专利权人：江苏赛博空间科学技术有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117458160B

主分类号：H01Q15/00

分类号：H01Q15/00;H01Q3/30;H01Q15/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明公开了一种宽频带双极化1bit超材料单元结构，包括第一介质基板和第二介质基板，所述第一介质基板的上下表面分别设有第一金属层和第二金属层，所述第二介质基板的上表面设有第三金属层，所述第一介质基板与第二介质基板按上下位置通过半固化片粘接形成单元整体，所述单元整体设有贯穿的三个金属化过孔。本发明结构通过调整偏置电路的电压变化，控制PIN二极管的通断，从而实现对反射相位的调控，有控制简单的优点；本发明采用两个PIN二极管正交的形式，通过控制两个PIN二极管的通断，实现两个极化相位独立调控，实现两个极化波束的独立调控。

主权项：1.一种宽频带双极化1bit超材料单元结构，其特征在于：包括第一介质基板和第二介质基板，所述第一介质基板的上下表面分别设有第一金属层和第二金属层，所述第二介质基板的上表面设有第三金属层，所述第一介质基板与第二介质基板按上下位置通过半固化片粘接形成单元整体，所述单元整体设有贯穿的三个金属化过孔，其中：所述第一金属层为单元表面层，通过蚀刻形成有中心方形金属贴片和两个侧矩形金属贴片，所述两个侧矩形金属贴片与中心方形金属贴片的两个直角边分别平行且居中设置，所述两个侧矩形金属贴片与中心方形金属贴片之间存在缝隙，该缝隙之间分别通过焊接PIN二极管将两个金属贴片连接；靠近所述中心方形金属贴片另外两个直角边内蚀刻有两直角边分别与该中心方形金属贴片的该两个直角边平行的直角三角形空缺；两个所述金属化过孔分别设在两个侧矩形金属贴片的外侧中心处，且外围蚀刻有半圆金属圆盘；另一个金属化过孔设在中心方形金属贴片的中心处；所述第二金属层为单元地层，设有与金属化过孔对应的圆环空缺；所述第三金属层为偏置电路层，包括三个偏置电路，所述偏置电路通过金属化过孔分别与第一金属层上对应的中心方形金属贴片和两个侧矩形金属贴片电连接；所述第三金属层的偏置电路为三个圆心处连接有偏置线的扇形滤波器，所述扇形滤波器的圆心与金属化过孔相对应；所述中心方形金属贴片的边长为a，两个侧矩形金属贴片与中心方形金属贴片的距离均为g，两个侧矩形金属贴片的长和宽分别为l和w，直角三角形空缺为等腰直角三角形，且直角边长为b，两个直角边与中心方形金属贴片的距离均为h，上述尺寸满足以下关系： ，式中，k为调节因子，取值范围为0.25-0.4；f为中心频点频率，Er为介质介电常数，c为真空中光速，为中心频点空气波长。

全文数据：

权利要求：

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