申请/专利权人：福建泓光半导体材料有限公司

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866205A

主分类号：C08G77/06

分类号：C08G77/06;G03F7/11;C08G77/26;C09D183/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于光刻材料技术领域，涉及一种含硅表面改性剂及其制备方法与其在抗蚀剂下层膜组合物和光刻图案形成中的应用。所述含硅表面改性剂的制备方法包括将单体Sn以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到含硅表面改性剂。本发明的关键在于采用具有重氮萘醌磺酸酯结构的含硅表面改性剂并以适当的比例添加到抗蚀剂下层膜组合物中，由此所得的抗刻蚀剂下层膜在曝光前后的接触角与抗刻蚀剂上层膜的接触角相接近，即抗刻蚀剂下层膜和抗刻蚀剂上层膜在曝光前和曝光后均能紧密贴合，不仅具有良好的匀胶效果，而且能够提高光刻材料的分辨率，获得尺寸精细且形貌良好的光刻图案。

主权项：1.一种含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述含硅表面改性剂的制备方法包括将具有式1和或式2所示结构的单体Sn以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到含硅表面改性剂； 式1和式2中，R1、R2和R3中至少有一个为C1～C5的烷氧基且其余各自独立为H、C1～C5的烷基或C6～C18的芳基，R4为C0～C5的亚烷基，R5和R6各自独立地为H、OH、卤族元素、C1～C5的烷氧基或C1～C5的烷基。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建泓光半导体材料有限公司 一种含硅表面改性剂和抗蚀剂下层膜组合物及其制备方法和应用

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