申请/专利权人：西安超码科技有限公司

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117865706A

主分类号：C04B35/80

分类号：C04B35/80;F16D69/02;C04B35/52;C04B35/573;C04B35/622;C04B35/83

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种CC‑SiC制动盘连续陶瓷化制备方法，属于陶瓷材料技术领域。通过将炭纤维预制体增密，再机械加工成炭炭复合材料部件，然后置于容器中，在部件和容器之间设支撑块形成间隙，将硅粉填充在间隙中并高度不超过部件下底面，形成组合件；将一个以上的组合件用连续高温反应进行硅反应熔渗陶瓷化处理，制得CC‑SiC制动盘。利用炭炭复合材料部件通过多孔材料的支撑块虹吸，在连续高温条件下实现快速反应熔渗，进而制得陶瓷分布均一且陶瓷含量可控的产品；制备的制动盘结构强度优于现有技术生产的同类型产品，陶瓷基体均一性优于树脂掺杂浸渍，利于较厚产品的均匀渗透，制作周期短，原料成本低，可连续批量化生产。

主权项：1.一种CC-SiC制动盘连续陶瓷化制备方法，其特征在于：（1）将体积密度为0.20gcm3～0.50gcm3的炭纤维预制体增密，得到体积密度为1.20gcm3～1.60gcm3的炭炭复合材料；（2）将炭炭复合材料机械加工成炭炭复合材料部件；（3）将炭炭复合材料部件置于具边缘的平底容器中，炭炭复合材料部件的底部和平底容器的平底内表面之间设有3个以上的支撑块，形成间隙，将硅粉填充在间隙中，硅粉的高度不超过炭炭复合材料部件的下底面，形成组合件；平底容器的材质为在反应熔渗和陶瓷化处理温度下不发生形变的材质，支撑块为多孔材料；每个支撑块的形状满足上表面与炭炭复合材料部件的底部紧密贴合，且下表面与平底容器的平底内表面紧密贴合；（4）将一个以上的组合件采用连续高温反应进行硅反应熔渗陶瓷化处理，制得体积密度为2.0gcm3～2.5gcm3的CC-SiC制动盘；当组合件为两个以上时，将组合件叠放或并列放置，采用连续高温反应进行硅反应熔渗陶瓷化处理，具体过程如下：将组合件放置于移动传输系统，通过移动传输系统不断移动进入不同反应阶段的反应舱室中，第三反应阶段设有至少一个反应舱室，其他每个反应阶段设有至少两个反应舱室；第一反应阶段：反应温度由常温升温至800℃~1000℃，各个反应舱室的递进温差为200℃~600℃，所有反应舱室总体升温时长为1.5h~5h，组合件匀速前进或跳跃式前进；在氮气或惰性气体保护状态下进行，或在静态真空状态下进行，或在动态抽真空状态下进行；第二反应阶段：从第一反应阶段的反应温度800℃~1000℃升温至1400℃~2000℃，各个反应舱室的递进温差为100℃~300℃，所有反应舱室总体升温时长为1.5h~12h，组合件匀速前进或跳跃式前进；在氮气或惰性气体保护状态下进行，或在静态真空状态下进行，或在动态抽真空状态下进行；第三反应阶段：保持第二反应阶段的反应温度1400℃~2000℃，所有反应舱室总体保温时长为1h~12h；在静态真空状态下进行，或在动态抽真空状态下进行；第四反应阶段：反应温度从第三反应阶段的反应温度1400℃~2000℃降温至800℃~1000℃，各个反应舱室的递进温差为200℃~600℃，所有反应舱室总体降温时长为1h~6h，组合件匀速前进或跳跃式前进；在静态真空状态下进行，或在动态抽真空状态下进行。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安超码科技有限公司 一种C/C-SiC制动盘连续陶瓷化制备方法

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