申请/专利权人：福建泓光半导体材料有限公司

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866204A

主分类号：C08G77/06

分类号：C08G77/06;C09D183/04;G03F7/11

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于光刻材料技术领域，具体涉及一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及其制备方法与应用。所述含硅表面改性剂的制备方法包括将Sn单体以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到含硅表面改性剂。本发明的关键在于采用具有特定结构的含硅表面改性剂并以适当的比例添加到抗蚀剂下层膜组合物中，由此所得的抗蚀剂下层膜在曝光前后的接触角与抗蚀剂上层膜的接触角相接近，使得曝光前光致抗蚀剂的匀胶效果良好，同时提高曝光后抗刻蚀剂下层膜与光致抗蚀剂图案间的密合性，防止精细图案的崩塌，获得形貌良好的光刻图形。

主权项：1.一种含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括将具有式1所示结构的Sn单体以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到； 式1中，R1为具有如式M1或M2所示结构的基团，R2、R3和R4中至少有一个为C1～C5的烷氧基且其余各自独立为H、C1～C5的烷基或C6～C18的芳基； 式M1和M2中，R5为H、C1～C6的烷基或C6～C18的芳基，R6为C1～C6的亚烷基或C6～C14的亚环烷烃，y为0～10的整数，z为0～10的整数，Si代表了与Si键连接的部位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建泓光半导体材料有限公司 一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及其制备方法与应用

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