申请/专利权人：黄山芯微电子股份有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878139A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种具有P型埋层的深沟槽结终端及制备方法，有源区为带载流子存储层的沟槽栅FS+IGBT结构，其包含：连接发射极的N+发射极区与P+发射极区，P型基区003与其下方的载流子存储层，N型衬底，背面的N型场截止层与P+集电极区，以及由连接栅极的N型多晶硅上半栅、N型多晶硅下半栅与多晶硅外侧包围的栅氧化层组成的沟槽栅结构，同时沟槽栅下方有P型屏蔽环，结终端区域也具有沟槽栅结构。本发明公开的具有P型埋层的深沟槽结终端结构的P型埋层与双层场板结构使结终端的耐压值提高，在相同耐压值下大大减小终端面积。另外，本发明公开的工艺流程与带载流子存储层的沟槽栅FS+IGBT结构的工艺流程有很好的兼容性。

主权项：1.一种具有P型埋层的深沟槽结终端，其特征在于，有源区为带载流子存储层的沟槽栅FS+IGBT结构，其包含：连接发射极的N+发射极区001与P+发射极区002，P型基区003与其下方的载流子存储层004，N型衬底005，背面的N型场截止层006与P+集电极区007，以及由连接栅极的N型多晶硅上半栅008、N型多晶硅下半栅009与多晶硅外侧包围的栅氧化层010组成的沟槽栅结构，同时沟槽栅下方有P型屏蔽环011；结终端区域的结构包含：有源区延伸出的主结场板012，以及由第一P型场限环103、第一多晶硅场板113、第一沟槽结构下方的第一P型埋层111与第一金属场板112组成的第一沟槽场板场限环结构，由第二P型场限环203、第二多晶硅场板213、第二沟槽结构下方的第二P型埋层211与第二金属场板212组成的第二沟槽场板场限环结构，由第三P型场限环303、第三多晶硅场板313、第三沟槽结构下方的第三P型埋层311与第三金属场板312组成的第三沟槽场板场限环结构，以及截止环场板412与N型截止环401，另外主结与第一沟槽场板场限环之间设置有主结场氧014，第一沟槽场板场限环与第二沟槽场板场限环之间设置有第一场氧114，第二沟槽场板场限环与第三沟槽场板场限环之间设置有第一场氧214，第三沟槽场板场限环右侧设置有第三场氧314。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 黄山芯微电子股份有限公司 一种具有P型埋层的深沟槽结终端及制备方法

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